Анализ морфологии поверхности буферных слоёв CdTe с помощью эллипсометрии и интерференционной профилометрии для создания методики контроля роста буферных слоёв = Surface morphology analysis of CdTe buffer layers using ellipsometry and interference profilometry to create a technique for monitoring the growth of buffer layers / В. А. Швец, Д. В. Марин, Л. С. Кузнецова [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-50-58. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology. – 2024. – № 2. — С. 50-58. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=53>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Год 2024 | Квартал 4 | Октябрь | 0 | 0 | 0 | 12 | 12 |
| Ноябрь | 0 | 0 | 0 | 3 | 3 | ||
| Всего | 0 | 0 | 0 | 15 | 15 | ||