Афанасьев, А. В. Ионное легирование карбида кремния в технологии приборов силовой электроники = Ion doping of silicon carbide in the technology of power electronics devices. Review: обзор / А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин. — 1 файл (1,75 Мб). — (Технологические процессы и маршруты). — DOI 10.24151/1561-5405-2022-27-4-439-462. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2022. – С. 439-462. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=49396190>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Год 2022 | Квартал 4 | Декабрь | 0 | 0 | 0 | 3 | 3 |
| Год 2023 | Квартал 1 | Январь | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Февраль | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
| Март | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
| Квартал 2 | Апрель | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | |
| Май | 0 | 0 | 0 | 3 | 3 | ||
| Июнь | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | ||
| Квартал 3 | Июль | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| Август | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
| Сентябрь | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | ||
| Квартал 4 | Октябрь | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | |
| Ноябрь | 0 | 0 | 0 | 3 | 3 | ||
| Декабрь | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | ||
| Год 2024 | Квартал 1 | Январь | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| Февраль | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | ||
| Март | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
| Квартал 2 | Апрель | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | |
| Май | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | ||
| Июнь | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
| Квартал 3 | Июль | 0 | 0 | 0 | 3 | 3 | |
| Август | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | ||
| Сентябрь | 0 | 0 | 0 | 5 | 5 | ||
| Квартал 4 | Октябрь | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| Ноябрь | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
| Всего | 0 | 0 | 0 | 33 | 33 | ||