Методика оптимизации электрофизических характеристик МОП-транзистора с использованием приборно-технологического моделирования = A procedure for optimizing the electro-physical characteristics of the MOSFET using device and process simulation / Д. Жангиреев, А. В. Шемякин, С. О. Белостоцкая, А. С. Сивченко. — 1 файл (1,25 Мб). — (Технологические процессы и маршруты). — DOI 10.24151/1561-5405-2024-29-5-585-594. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 5. — С. 585-594. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=72753284>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Год 2024 | Квартал 4 | Ноябрь | 0 | 0 | 0 | 3 | 3 |
| Всего | 0 | 0 | 0 | 3 | 3 | ||