Статистика использования

Смирнова, В. П. Моделирование средствами TCAD воздействия тяжелых заряженных частиц на n-МОП-структуру в составе ячейки памяти = TCAD simulation of a heavy charged particle impact on a n-MOS structure as a part of a memory cell / В. П. Смирнова, Т. Ю. Крупкина. — 1 файл (410 Кб). — (Краткие сообщения). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-3-385-390. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 385-390. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54011399>.

stat
Период Чтение Печать Копирование Открытие Итого
Год 2023 Квартал 2 Июнь 0 0 0 1 1
Квартал 3 Июль 0 0 0 3 3
Август 0 0 0 0 0
Сентябрь 0 0 0 1 1
Квартал 4 Октябрь 0 0 0 1 1
Ноябрь 0 0 0 0 0
Декабрь 0 0 0 1 1
Год 2024 Квартал 1 Январь 0 0 0 0 0
Февраль 0 0 0 0 0
Март 0 0 0 0 0
Квартал 2 Апрель 0 0 0 0 0
Май 0 0 0 1 1
Июнь 0 0 0 0 0
Квартал 3 Июль 0 0 0 1 1
Август 0 0 0 3 3
Сентябрь 0 0 0 26 26
Квартал 4 Октябрь 0 0 0 5 5
Всего 0 0 0 43 43