| Table | Card | RUSMARC | |
|
|
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Работа посвящена изучению физико-химических закономерностей процессов плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития на специально созданной установке с индуктивно связанной плазмой (ИСП). Определено влияние ряда технологических параметров (ВЧ мощность, напряжение самосмещения, давление в реакционной камере, состав газовой смеси и т.д.) на скорость травления указанных материалов. Проведено ранжирование технологических параметров по степени значимости их влияния на скорость травления. На основе полученных результатов разработаны технологии глубокого направленного высокоскоростного травления SiO2, SiC и LiNbO3 при пониженных значениях ВЧ мощности (менее 1000 Вт).
Document access rights
| Network | User group | Action | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
||||
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
||||
|
Internet | Anonymous |
Table of Contents
- Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Usage statistics
|
|
Access count: 0
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |