В данной работе исследовалось травление нитрида кремния плазмой ВЧ разряда смесей NF3/O2 и NF3/O2/N2/H2. Для изучения химического состава смеси проводилось моделирование, данные которого сравнивались с данными оптической и масс-спектрометрии. Реакции реагентов с поверхность нитрида кремния моделировались с помощью квантовой химии. На основании данных моделирования предложен механизм травления нитрида кремния и аналитическая модель, описывающая зависимость скорости травления от потоков реагентов на травящуюся поверхность.

This research aims to study an etching of silicon nitride by NF3/O2 and NF3/O2/N2/H2 plasmas. A plasma chemistry modelling has been performed to study the chemical composition of the mixtures. The data of the modelling was verified in comparision with the measured data by optical emission and mass spectoscopies. Chemical reactions of etchatnts with silicon nitride surface were modelled using quantum chemistry methods. Based on these data, the mechanism of the etching and analytical model of the etching describing dependence of the etch rate on the flux of etchants on the surface have been suggested.