?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Исследование процессов селективного жидкостного травления квантово-размерных гетеростуктур на основе арсенида галлия: выпускная квалификационная работа магистра: 22.04.01 - Материаловедение и технологии материалов ; 22.04.01_01 - Материаловедение наноматериалов и компонентов электронной техники
Creators: Антонова Анастасия Витальевна
Scientific adviser: Соловьев Юрий Владимирович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Document type: Master graduation qualification work
File type: Other
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 22.04.01
Speciality group (FGOS): 220000 - Технологии материалов
Rights: Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 13.07.2016 № 91
Record key: ru\spstu\vkr\1766

Annotation

Работа посвящена исследованию процессов селективного жидкостного травления эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs для создания мощных полупроводниковых лазеров. В работе приведен аналитический обзор литературных данных касательно механизма жидкостного химического травления, изучены и выбраны виды травителей, концентрации и скорости травления структур, проведены измерения глубины травления с помощью профилометра, оценены профили травления.

The work is devoted to the study of selective liquid etching of epitaxial heterostructures AlGaAs/InGaAs/GaAs to create high-power semiconductor lasers. The paper presents analytical review of literature data regarding the mechanism of liquid chemical etching, are studied and selected types of etchants, concentration and speed of etching of the structures, measurements of the depth of etching using a profilometer, the estimated profiles of etching.