Details

Title: Исследование порфириновых структур с помощью сканирующего туннельного микроскопа: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Creators: Ариас Муньоз Хуан Камило
Scientific adviser: Рыков Сергей Александрович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: Other
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Rights: Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 13.07.2016 № 91
Record key: ru\spstu\vkr\1936

Annotation

С помощью сканирующего туннельного микроскопа изучены особенности топографии поверхности пленка порфирина на кристалле графита и локальные вольтамперные характеристики при комнатных условии. Получены изображения топографии в масштабах от несколько нанометров до 4 мкм. Локальные вольтамперные характеристики, измеренные при разных напряжении смещения и разных направлениях его развертки свидетельствуют о наличии метастабильных электронных состояний в порфирине.

Features of the surface topography of the porphyrin film on the graphite crystal substrate and the local current-voltage characteristics were studied using a scanning tunneling microscope at ambient conditions. STM images of surface were acquired at scale from some nanometers to 4 micrometers. The local current-voltage characteristics at different bias voltages scale and at different directions of scaling indicate the existence of the metastable electron states in porphyrin.