Details
| Title | DFT-исследование электронных и структурных свойств двухмерного MoS[2], содержащего вакансии серы // Цветные металлы. – 2025. – № 10. — С. 18-21 |
|---|---|
| Creators | Чибисов А. Н. ; Булах С. С. ; Cривастава А. |
| Imprint | 2025 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Электричество и магнетизм в целом ; дисульфид молибдена ; DFT-исследования ; электронные свойства ; структурные свойства ; вакансии серы ; метод псевдопотенциала ; теория функционала плотности ; монослои дисульфида молибдена ; электростатический потенциал |
| UDC | 537 |
| LBC | 22.33 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.17580/tsm.2025.10.03 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\77545 |
| Record create date | 11/26/2025 |
Проектирование наноэлектронных квантовых устройств, способных точно выполнять логические операции с малым числом ошибок и потребляющих мало электрической энергии, является важной фундаментальной задачей. Создание таких вычислителей позволит разработать квантовые датчики, чувствительные к обнаружению малых электрических и магнитных полей. В статье выполнено исследование атомной и электронной структуры двухмерных монослоев дисульфида молибдена MoS[2]. Создание вакансии серы в монослоях MoS[2] приводит к наведению электронной дисторсии в атомной структуре, что является причиной изменения электронных и электрических свойств такого материала. Используя теоретические методы расчета, в рамках теории функционала плотности DFT и метода псевдопотенциалов выполнен анализ изменения в зонной структуре, изменения ширины запрещенной зоны и сдвига уровня Ферми, вызванных образованием дефекта в монослое дисульфида молибдена. Также рассмотрено влияние вакансии серы на изменение эффективной массы основных носителей заряда в системе (электронов и дырок) при образовании вакансии серы и без нее. Полученные результаты показывают, что вакансия серы вызывает значительные изменения в электронной структуре, в распределении зарядовой плотности и электростатического потенциала дисульфида молибдена. Анализ этих свойств позволит сделать выводы и выработать рекомендации потенциального применения MoS[2] при разработке новых квантовых материалов. Эти идеи имеют решающее значение для детального понимания дефектной инженерии в двумерных материалах, что имеет перспективное значение для их использования в электронных и квантовых устройствах следующего поколения.
Access count: 46
Last 30 days: 15
