Details
| Title | Влияние разрешения, глубины выхода и дефектов на форму линии 2p-спектров поверхности Si(100) // Оптика и спектроскопия. – 2024. – Т. 132, № 10. — С. 1031-1037 |
|---|---|
| Creators | Кузьмин А. В. ; Сорокина С. В. |
| Imprint | 2024 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Спектроскопия ; кремний ; поверхность кремния ; 2p-спектры поверхности кремния ; структурные дефекты ; фотоэлектронная спектроскопия ; поверхностные сдвиги ; энергия фотонов ; поверхностные кремниевые слои ; плотность дефектов |
| UDC | 535.33 |
| LBC | 22.344 |
| Document type | Article, report |
| File type | Other |
| Language | Russian |
| DOI | 10.61011/OS.2024.10.59416.7124-24 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\75210 |
| Record create date | 2/11/2025 |
Представлены результаты количественного и качественного анализа тонкой структуры 2p-спектров высокого разрешения (60 meV) для поверхности Si(100)c(4 x 2). Проведено моделирование 2p-линии для различных энергий фотонов, энергетического разрешения и плотности структурных дефектов в поверхностном слое кремния. Установлены предельные значения параметров эксперимента (энергии фотонов и разрешения), при которых характерные особенности спектров могут использоваться как индикатор состояния поверхности. Сделана оценка их чувствительности к вакансиям в слое поверхностных димеров. Полученные результаты могут быть применены в качестве справочных данных при проведении экспериментов и обработке результатов фотоэлектронной спектроскопии 2p-остовного уровня Si.
Access count: 23
Last 30 days: 3
