Details
| Title | Температурная зависимость интенсивности люминесценции гетероструктуры CdTe/Cd[0.6]Mg[0.4]Te при надбарьерном возбуждении // Оптика и спектроскопия. – 2025. – Т. 133, № 7. — С. 772-775 |
|---|---|
| Creators | Агекян В. Ф. ; Лабзовская М. Э. ; Серов А. Ю. ; Философов Н. Г. ; Karczewski G. |
| Imprint | 2025 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Люминесценция ; гетероструктуры ; температурная зависимость ; интенсивность люминесценции ; надбарьерное возбуждение (физика) ; полупроводники ; квантовые ямы ; делокализация экситонов ; свойства люминесценции |
| UDC | 535.37 |
| LBC | 22.345 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.61011/OS.2025.07.61111.7888-25 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\77445 |
| Record create date | 11/19/2025 |
Исследована температурная зависимость люминесценции квантовой ямы CdTe/Cd[0.6]Mg[0.4]Te в диапазоне температур 5-200 K. Установлено, что при подбарьерном возбуждении эта зависимость характеризуется двумя каналами безызлучательной рекомбинации с энергиями активации 0.01 и 0.037 eV. При надбарьерном возбуждении в температурной зависимости интенсивности люминесценции квантовой ямы наблюдается особенность, связанная с делокализацией экситонов в барьере Cd[0.6]Mg[0.4]Te. Безызлучательная рекомбинация в барьере характеризуется двумя значениями энергии активации: 0.0065 и 0.046 eV. Предложена модель, описывающая влияние температуры на интенсивность люминесценции квантовой ямы и барьера, в которой учитываются делокализация экситонов в барьере и их захват на центры безызлучательной рекомбинации.
Access count: 46
Last 30 days: 14
