Details

Представлены результаты исследований оптических свойств центров окраски, образующихся при рентгеновском облучении, в номинально чистом кристалле KY[3]F[10] и допированном ионами Ce{3+}, определены типы и постоянные времена их эволюции. Рассмотрено влияние на эволюцию центров окраски допирования кристалла ионами Ce{3+}. Проведено сравнение параметров центров окраски в допированном кристалле и номинально чистом. Индуцированные рентгеновским излучением центры окраски определены в номинально чистом кристалле как центры окраски F- и F[2]-типов, а в допированном - F-, F[2]- и F[A]-типов. В кристалле KY[3]F[10], допированном ионами Ce{3+}, времена рекомбинации свободных носителей заряда, обусловленных центрами окраски F-типа, существенно отличаются от времен рекомбинации зарядов, обусловленных этими типами центров окраски в номинально чистом кристалле. В допированном кристалле (в сравнении с номинально чистым) максимумы полос поглощения смещаются в коротковолновую область.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 12 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7925>.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. Т. 133, № 8, 2025. — (13 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/contents.asp?id=83102452>.