Details
| Title | Формирование нанокристаллов галлия на подложках сапфира // Физика и химия обработки материалов. – 2025. – № 6. — С. 69-76 |
|---|---|
| Creators | Кожемякин Г. Н. ; Белов Ю. С. ; Артемов В. В. ; Волчков И. С. ; Корсунов К. А. |
| Imprint | 2025 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Физика твердого тела. Кристаллография в целом ; Технология металлов ; Металловедение в целом ; галлий ; нанокристаллы ; сапфировые подложки (физика) ; термическое испарение ; микрокристаллы ; СЭМ-изображения ; кристаллические структуры |
| UDC | 539.2; 669.017 |
| LBC | 22.37; 34.2 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.30791/0015-3214-2025-6-69-76 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\78107 |
| Record create date | 1/26/2026 |
Методом термического испарения в атмосфере Ar при времени осаждения 10 с, 15 с и 20 с получены нанокристаллы Ga на подложках сапфира (11-02), размер, форму и количество которых определяли с использованием интеллектуального анализа СЭМ-изображений. Нанокристаллы и микрокристаллы Ga на подложках сапфира конденсировались в виде гексагональной и тетрагональной форм, близких к кристаллическим структурам сапфира и Ga. При времени осаждения 10 с большинство нанокристаллов Ga осаждались в виде прозрачных пластин гексагональной формы, подобной гексагональной структуре R(11-02) сапфировых подложек. Увеличение времени осаждения до 20 с обеспечило рост количества нанокристаллов Ga при повышении их плотности на поверхности подложек на 58 %, а также возрастание в три раза числа микрокристаллов и их размеров от 120 нм до 300 нм. Оксид галлия (Ga[2]O[3]), выявленный рентгенофазовым анализом, образовался вследствие взаимодействия поверхностных атомов нанокристаллов и микрокристаллов Ga с атомами кислорода на поверхности подложки сапфира (Al[2]O[3]), которые обладают сильной химической связью. Обнаружена двухслойная структура при времени осаждения 15 с и 20 с, нижний слой которой состоит из микрокристаллов Ga, выросших на подложках сапфира, а второй слой нанокристаллов Ga сформирован на верхней поверхности микрокристаллов первого слоя.
