Details
| Title | Особенности геттерирования при облучении ионами аргона Cr/4H-SiC-фотоприемников // Оптика и спектроскопия. – 2026. – Т. 134, № 1. — С. 80-85 |
|---|---|
| Creators | Калинина Е. В. ; Никитина И. П. ; Кудояров М. Ф. ; Патрова М. Я. ; Забродский В. В. ; Юсупова Ш. А. |
| Imprint | 2026 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Физика полупроводников и диэлектриков ; фотоприемники ; ионы аргона ; облучение ионами аргона ; геттерирование ; карбид кремния ; ультрафиолетовые фотоприемники ; оптические характеристики ; спектральные характеристики |
| UDC | 537.311.33 |
| LBC | 22.379 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.61011/OS.2026.01.62616.8177-25 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Additionally | New arrival |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\78526 |
| Record create date | 3/20/2026 |
Представлены результаты влияния пошагового семикратного облучения ионами аргона с энергией 53 MeV флюенсом 1*1010 сm{-2} (общий флюенс 7*1010 сm{-2}) на структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых Cr/4H-SiC-фотоприемников. Показано, что особенности спектральных характеристик в диапазоне длин волн 200-400 nm определяются геттерированием простых радиационных дефектов вакансионной природы кластерными образованиями в 4H-SiC. Подтвержден циклический характер эффекта геттерирования при последовательном семикратном облучении Cr/4H-SiC-фотодетекторов ионами аргона флюенсом 1*1010 сm{-2}, впервые наблюдаемый при протонном облучении. Для концентрации нескомпенсированных доноров (1-3)*1015 сm{-3} в эпитаксиальном слое 4H-SiC, выращенного методом химического осаждения из газовой фазы, определен флюенс ионов аргона, приводящий к деградации фотодетектора Cr/4H-SiC, составляющий 7*1010 сm{-2}.
Access count: 76
Last 30 days: 76
