Details

Рассмотрен электрический шум в полупроводниковых материалах, вызванный захватом и эмиссией носителей заряда ловушками, образованными дефектами структуры. Дано строгое количественное описание электрического шума в полупроводниках, вызванного этой причиной. Вычислено выражение общего вида для спектра электрического шума в полупроводниках. Определена связь свойств шума с характеристиками полупроводников. Установлены виды зависимостей интенсивности шума от характеристик полупроводников. Вычислены выражения для спектра шума в ряде конкретных случаев. Показано в каких частных случаях установленное общее выражение для спектра электрического шума в полупроводниках переходит в известные ранее формулы. Полученные результаты показывают возможности снижения электрического шума в полупроводниковых материалах различных типов. Результаты статьи могут быть применены для улучшения качества и повышения надежности полупроводниковых приборов.

Electrical noise in semiconductor materials caused by capture and emission of charge carriers by traps formed by structural defects is considered. Rigorous quantitative description of the electrical noise in semiconductors caused by this reason is given. General expression for spectrum of electrical noise in semiconductors is calculated. Relationship between the properties of noise and the characteristics of semiconductors is determined. Types of dependences of noise intensity on the characteristics of semiconductors have been established. Expressions for noise spectrum are calculated in a number of specifi c cases. It is shown in which particular cases established general expression for spectrum of electrical noise in semiconductors transforms into previously known formulas. The results obtained show potential for reducing electrical noise in various types of semiconductor materials. The results of the article can be used to improve quality and reliability of semiconductor devices.