Details

Title Параметры стимулированного излучения в Al[0.65]Ga[0.35]N : Si/AlN/Al[2]O[3]-структуре с планарной геометрией // Оптика и спектроскопия. – 2024. – Т. 132, № 9. — С. 911-917
Creators Бохан П. А. ; Журавлев К. С. ; Закревский Д. Э. ; Малин Т. В. ; Фатеев Н. В.
Imprint 2024
Collection Общая коллекция
Subjects Физика ; Физическая оптика ; сильнолегированные структуры ; стимулированное излучение ; параметры стимулированного излучения ; планарные волноводы (оптика) ; оптическое усиление ; донорно-акцепторная рекомбинация (оптика) ; импульсная накачка излучением ; легирование кремнием ; спектры излучения
UDC 535.2/3
LBC 22.343
Document type Article, report
Language Russian
DOI 10.61011/OS.2024.09.59189.6977-24
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key RU\SPSTU\edoc\75013
Record create date 1/15/2025

Allowed Actions

View

Экспериментально изучены параметры стимулированного излучения в Al[0.65]Ga[0.35]N/AlN/Al[2]O[3]-гетероструктуре в широком спектральном диапазон 370-670 nm при комнатной температуре, образующейся при поперечной импульсной накачке излучением с длиной волны 266 nm, длительностью импульсов 8 ns и частотой повторения 10 Hz. Легированная кремнием до концентрации n[Si]~1.5*10{20} cm{-3} Al[0.65]Ga[0.35]N-пленка толщиной 1.1 mum представляет собой асимметричный планарный волновод, обладающий усилительными свойствами с коэффициентом усиления ~10 cm{-1}. Квантовая эффективность стимулированного излучения составила eta~18% при величине мощности оптической накачки P[p]=100 kW/cm{2} и выводом стимулированного излучения через подложку. Спектр излучения состоит из совокупности эквидистантных пиков, каждый из них состоит из суммы двух плоских TE- и TM-волн. Эти волны распространяются зигзагообразно из-за внутреннего отражения на границах структуры. Получена узкая угловая расходимость 5.3 градусов стимулированного излучения в перпендикулярном направлении к плоскости структуры, a в параллельном направлении расходимость составляет 20 градусов.

...