Details

Исследовано влияние встроенного электрического поля в гетероструктурах на генерацию терагерцового (ТГц) излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами поверхности гетероструктур, представляющих собой упруго напряженные сверхрешетки \In[0.53+delta x]Ga[0.47-delta x]As/In[0.52-delta x]Al[0.48+delta x]As\, эпитаксиально выращенные на подложках InP с ориентациями (100) и (111)А. В серии образцов варьировалось значение delta x, а следовательно, и значение упругих напряжений. "Красный" сдвиг пика на спектрах фотолюминесценции подтверждает наличие встроенного электрического поля в (111)А-гетероструктурах, вызванного пьезоэффектом. Показано, что (100)-гетероструктуры генерируют ТГц сигнал приблизительно одинакового уровня (разброс значений амплитуды ТГц поля не более 30% от среднего значения) независимо от упругих напряжений, в то время как в серии (111)А-гетероструктур ТГц сигнал значительно (на 75-90%) возрастает для сильно напряженных образцов.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 12 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7925>.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. Т. 133, № 3, 2025. — (16 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/contents.asp?id=82415009>.