Details

Title Влияние стехиометрии теллура и цинка на эллипсометрические спектры ZnTe/GaAs (100) // Оптика и спектроскопия. – 2025. – Т. 133, № 3. — С. 274-280
Creators Грекова А. А. ; Климов Е. А. ; Виниченко А. Н. ; Бурлаков И. Д.
Organization "Saratov Fall Meeting-2024", международная конференция
Imprint 2025
Collection Общая коллекция
Subjects Физика ; Молекулярная физика в целом ; теллурид цинка ; стехиометрия ; эллипсометрические спектры ; спектральная эллипсометрия ; молекулярно-лучевая эпитаксия ; молекулярные потоки ; оптические свойства ; эпитаксиальные слои
UDC 539.19
LBC 22.36
Document type Article, report
Language Russian
DOI 10.61011/OS.2025.03.60243.5-25
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key RU\SPSTU\edoc\77270
Record create date 10/31/2025

Allowed Actions

View

Исследовано влияние стехиометрии молекулярных потоков Zn : Te на оптические свойства теллурида цинка. Рассмотренные структуры ZnTe были получены на подложках GaAs (100) с помощью метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Посредством оптической эллипсометрии были определены эллипсометрические спектры параметра psi. Исследование показало, что особенности Ван-Хова E[1] и E[1]+delta[1], соответствующие 3.65 eV и 4.27 eV, являются характерными для соединения ZnTe. Избыток теллура в потоке падающего вещества приводит к одновременному уменьшению амплитуды и уширению экстремумов в спектре psi(lambda) из-за образования дефектов, поглощающих видимое излучение. Спектры показателя psi и мнимой компоненты диэлектрической проницаемости в области E > Eg содержат экстремумы, схожие по энергетическому положению. При преобладании одного из компонентов в соотношении Zn : Te, энергетические положения критических точек остаются постоянными при разной толщине образцов. Однако избыточный Zn в соотношении Zn : Te приводит к неопределенности энергетического положения края поглощения. Результаты исследования могут оказаться полезными для эллипсометрического экспресс-контроля стехиометрии и оценки кристаллического качества бинарных твердых растворов группы А[2]В[6] в составе эпитаксиальных слоев.

Access count: 53 
Last 30 days: 23

Detailed usage statistics