Details
| Title | Разработка отечественной САПР приборно-технологического моделирования для микроэлектронных технологий = Development of domestic CAD system for instrument-technological modeling for microelectronic technologies // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2025. – Т. 30, № 5. — С. 607-617 |
|---|---|
| Creators | Чаплыгин Ю. А. ; Красюков А. Ю. ; Крупкина Т. Ю. ; Балашов А. Г. ; Лосев В. В. |
| Imprint | 2025 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Техника ; Проектирование ; Радиоэлектроника ; Электроника в целом ; микроэлектроника ; микроэлектронные технологии ; приборно-технологическое моделирование ; САПР ; системы автоматизированного проектирования ; интегральные схемы ; моделирование технологических процессов ; microelectronics ; microelectronic technologies ; instrumentation-technological modeling ; CAD ; computer-aided design systems ; integrated circuits ; modeling of technological processes |
| UDC | 62.001.63 ; 621.38 |
| LBC | 30.2 ; 32.85 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.24151/1561-5405-2025-30-5-607-617 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\77521 |
| Record create date | 11/25/2025 |
Создание эффективной системы приборно-технологического моделирования (ПТМ) в настоящее время является одной из важных составляющих обеспечения технологической независимости проектирования и производства изделий микроэлектроники. Решение этой задачи включает в себя создание отечественных программных средств САПР ПТМ и системы практических рекомендаций и методик ПТМ, настроенных на конкретные потребности производственных предприятий с учетом доступного уровня отечественных технологий. В работе проанализированы возможности существующих САПР ПТМ. Рассмотрены структура и задачи программных средств ПТМ. Проанализированы особенности ПТМ для отечественных микроэлектронных технологий. Приведены особенности приборно-технологического моделирования технологических маршрутов и приборов для реализации на базе отечественных микроэлектронных предприятий, в том числе для производственных процессов создания элементной базы ИС на основе низковольтной КМОП-технологии, биполярной технологии, планарных и вертикальных силовых МОП-транзисторов, интегральных преобразователей магнитного поля. Представлены характеристики разработанных программных модулей в составе отечественной САПР ПТМ - модулей технологического, приборного моделирования и визуализации результатов ПТМ. Показано, что данные программные модули обеспечивают возможность двумерного приборно-технологического моделирования для кремниевых КМОП- и BCD-технологий с проектными нормами 130 нм и выше.
The implementation of an effective system of device and process simulation (TCAD) is currently one of essential components of ensuring technological self-sufficiency in microelectronics design and manufacturing. This problem solution includes creation of domestic TCAD tools and of a system of recommended practices and techniques for device and process simulation adjusted to the specific needs of manufacturing enterprises with account for available level of domestic technologies. In this work, the possibilities of existing CAD tools for device and process simulation are analyzed. The specifics of TCAD simulation of the process routes and devices currently available for fabrication on the domestic microelectronic enterprises, in particular, for technological routes for IC elements formation based on low-voltage CMOS devices, BIT devices, planar and vertical power MOSFETs and integrated magnetic field converters are given. The characteristics of developed software modules as a part of the domestic TCAD tool - modules for process and device simulation and TCAD results visualizing - are presented. It has been demonstrated that these software modules allow for two-dimensional technological and device modeling for silicon CMOS and BCD technologies with 130 nm design rule and higher.
Access count: 25
Last 30 days: 10
