Details
| Title | Генерация и детектирование импульсного терагерцового излучения с использованием фотопроводящих полупроводниковых антенн на основе LT-In[x] Ga[1-x]N/GaN // Оптика и спектроскопия. – 2025. – Т. 133, № 9. — С. 986-994 |
|---|---|
| Creators | Бурмистров Е. Р. ; Авакянц Л. П. ; Парфентьева Н. А. ; Гаврилин С. Н. |
| Imprint | 2025 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Оптические свойства твердых тел ; полупроводниковые антенны ; фотопроводящие антенны ; терагерцовое излучение ; импульсное терагерцовое излучение ; детектирование излучений ; генерация излучений ; нитрид галлия ; оптическая накачка |
| UDC | 539.21:535 |
| LBC | 22.374 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.61011/OS.2025.09.61767.8258-25 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\77974 |
| Record create date | 1/13/2026 |
Исследованы генерация и детектирование терагерцового (ТГц) излучения с использованием фотопроводящих антенн на основе низкотемпературных гетероструктур LT-In[x]Ga[1-x]N/GaN. Многослойные структуры, выращенные методом металлоорганического химического осаждения из газовой фазы, продемонстрировали эффективность преобразования фемтосекундного лазерного излучения в ТГц импульсы 8 умножить на 10{-5}. При мощности оптической накачки 57 mW и напряжении смещения 15 V достигнута средняя выходная мощность ТГц излучения 4.5 muW. Частотный спектр излучения сосредоточен в области 1.0-1.2 THz с полосой пропускания до 3 THz. Исследованы временные и спектральные характеристики сигнала, а также зависимости мощности ТГц излучения от параметров накачки и смещения. Полученные результаты подтверждают перспективность использования LT-In[x]Ga[1-x]N/GaN для создания источников и детекторов ТГц диапазона, что открывает новые возможности для приложений в ТГц спектроскопии и оптоэлектронике.
Access count: 39
Last 30 days: 17
