Details
| Title | Выращивание кристаллов K[2]O умножить на 8Ga[2]O[3] из раствора в расплаве KF и исследование их свойств // Оптика и спектроскопия. – 2025. – Т. 133, № 11. — С. 1151-1154 |
|---|---|
| Creators | Носов Ю. Г. ; Шапенков С. В. ; Вывенко О. Ф. ; Варыгин Г. В. ; Щеглов М. П. ; Кицай А. А. ; Чикиряка А. В. ; Николаев В. И. |
| Imprint | 2025 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Физика твердого тела. Кристаллография в целом ; кристаллы ; выращивание кристаллов ; растворы ; расплавы ; свойства кристаллов ; оксид галлия ; галлаты ; катодолюминесценция |
| UDC | 539.2 |
| LBC | 22.37 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.61011/OS.2025.11.62161.7925-25 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Additionally | New arrival |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\78291 |
| Record create date | 2/20/2026 |
Представлены результаты исследований кристаллографических, электрических и оптических свойств кристаллов K[2]O умножить на 8Ga[2]O[3], впервые полученных при взаимодействии раствора Ga[2]O[3] с расплавом KF. Кристаллическая структура образцов соответствовала гексагональному P6[3]/mmc beta-галлату с параметрами решетки alpha=5.80 Angstrem и c=23.5 Angstrem. Кристаллы являлись изоляторами с сопротивлением порядка 2-3 Gomega на 450 mum длины. Впервые для K[2]O умножить на 8Ga[2]O[3] определены оптическая ширина запрещенной зоны в 3.77 eV и собственная полоса люминесценции в диапазоне 2.0-2.5 eV.
Access count: 23
Last 30 days: 23
