Details
| Title | Электрические флуктуации в полупроводниках, вызванные дефектами. Спектры флуктуаций = Electrical Fluctuations in Semiconductors Caused by Defects. Fluctuation Spectra // Инженерная физика. – 2026. – № 2. — С. 38-46 |
|---|---|
| Creators | Якубович Б. И. |
| Imprint | 2026 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Электростатика ; электрические флуктуации ; полупроводники ; спектры флуктуаций ; полупроводниковые приборы ; электрические шумы ; эмиссия носителей заряда ; стохастические процессы (физика) ; electrical fluctuations ; semiconductors ; fluctuation spectra ; semiconductor devices ; electrical noise ; emission of charge carriers ; stochastic processes (physics) |
| UDC | 537.2 |
| LBC | 22.331 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.25791/infizik.2.2026.1536 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Additionally | New arrival |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\78486 |
| Record create date | 3/16/2026 |
Изучены электрические флуктуации в полупроводниках, вызванные захватом и эмиссией носителей заряда ловушками, образованными дефектами структуры. Стохастические процессы захвата и эмиссии носителей ловушками являются причиной нескольких типов электрических шумов. Шум, вызванный данным механизмом, во многом ограничивает характеристики полупроводниковых приборов и снижает их качество. По этим причинам изучение таких флуктуаций в полупроводниках принципиально и практически важно. В статье широко рассмотрены электрические флуктуации в полупроводниках, вызванные захватом и эмиссией носителей заряда ловушками, образованными дефектами структуры. Проанализированы флуктуации при статистически связанных процессах захвата и эмиссии носителей на различных ловушках. Проанализированы флуктуации при независимых процессах захвата и эмиссии носителей на различных ловушках. Вычислены спектры флуктуаций. Флуктуционные процессы, вызывающие электрический шум рассмотрены в весьма общем виде. В результате дано строгое и широкое описание электрических флуктуаций в полупроводниках, вызванных захватом и эмиссией носителей заряда ловушками. Оно справедливо для различных типов полупроводников и для различных типов ловушек. Результаты статьи имеют практическое значение: они могут быть применены для снижения шума, улучшения качества и повышения надежности полупроводниковых приборов.
Electrical fluctuations in semiconductors caused by capture and emission of charge carriers by traps formed by structural defects are studied. Stochastic processes of carrier capture and emission by traps are cause of several types of electrical noises. The noise caused by this mechanism largely limits characteristics of semiconductor devices and reduces their quality. For these reasons, the study of such fluctuations in semiconductors is offundamental and practical importance. The article widely considers electrical fluctuations in semiconductors caused by capture and emission of charge carriers by traps formed by structural defects. Fluctuations in statistically related processes of carrier capture and emission on different traps are analyzed. Fluctuations in independent processes of carrier capture and emission on different traps are analyzed. Fluctuation spectra are calculated. Fluctuation processes causing electrical noise are considered in a very general form. As a result, a rigorous and broad description of electrical fluctuations in semiconductors caused by capture and emission of charge carriers by traps is given. It is valid for various types of semiconductors and for various types of traps. The results of the article have practical significance: they can be used to reduce noise, improve quality and increase reliability of semiconductor devices.
Access count: 62
Last 30 days: 62
