Details
| Title | Исследование ватт-амперных характеристик светодиодов на основе InGaN/GaN-гетероструктур на разных участках спектра излучения // Оптика и спектроскопия. – 2026. – Т. 134, № 2. — С. 157-162 |
|---|---|
| Creators | Сергеев В. А. ; Фролов И. В. ; Радаев О. А. |
| Imprint | 2026 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Квантовая механика ; светодиоды ; ватт-амперные характеристики ; спектры излучений ; гетероструктуры ; пороговые токи ; квантовая эффективность ; диапазоны малых токов ; квантовые ямы |
| UDC | 530.145 |
| LBC | 22.314 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.61011/OS.2026.02.62691.8503-25 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Additionally | New arrival |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\78581 |
| Record create date | 4/2/2026 |
Исследованы ватт-амперные характеристики ультрафиолетовых, голубых и зеленых светодиодов на основе InGaN/GaN-гетероструктур, измеренные на разных участках спектра излучения со спектральным разрешением порядка 1.5 nm. По результатам измерения и аппроксимации ватт-амперных характеристик различными функциями определялись значения порогового тока, значения тока, при котором достигается максимум внутренней квантовой эффективности, и параметра, определяющего степень нелинейности ватт-амперной характеристики в диапазоне малых токов. Установлено, что у ультрафиолетовых светодиодов все три параметра слабо зависят от длины волны спектра излучения. У зеленых и синих светодиодов указанные параметры различаются на коротковолновом и длинноволновом участках спектра, причем для зеленых светодиодов это различие больше, чем для синих. Различия параметров светодиодов разного цвета свечения на основе InGaN/GaN-гетероструктур с квантовыми ямами объясняются различием концентраций и неоднородным распределением индия в квантовых ямах гетероструктуры.
