Details

Title: Оптические свойства сегнетоэлектрических пленок Hf[x]Zr[y]O[2] и La : Hf[x]Zr[y]O[2] по данным эллипсометрии // Оптика и спектроскопия. – 2022. – С. 365-368
Creators: Кручинин В. Н.; Спесивцев Е. В.; Рыхлицкий С. В.; Гриценко В. А.; Mehmood F.; Mikolajick T.; Schroeder U.
Imprint: 2022
Collection: Общая коллекция
Subjects: Физика; Физическая оптика; сегнетоэлектрики; сегнетоэлектрические пленки; оптические свойства; эллипсометрия; показатели преломления света; спектроэллипсометрия; теория эффективной среды (физика)
UDC: 535.2/3
LBC: 22.343
Document type: Article, report
File type: Other
Language: Russian
DOI: 10.21883/OS.2022.03.52163.2477-21
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key: RU\SPSTU\edoc\68543

Allowed Actions: View

Annotation

В последнее время обнаружено наличие сегнетоэлектрических свойств наноразмерных пленок на основе оксида гафния. Такие пленки представляют большой интерес для разработки универсальной памяти, которая сочетает преимущества оперативной и флэш-памяти. В работе изучаются оптические свойства пленок оксида гафния-циркония Hf[x]Zr[y]O[2] и пленок оксида гафния-циркония, легированных лантаном, La : Hf[x]Zr[y]O[2]. Флуктуации толщины пленок Hf[x]Zr[y]O[2] не превышают 3.5%, флуктуации толщины пленок La : Hf[x]Zr[y]O[2] - 3.2%. Оптические свойства анализируются на основе теории эффективной среды. По данным теории эффективной среды пленки Hf[x]Zr[y]O[2] содержат 46% HfO[2], 54% ZrO[2], пленки La : Hf[x]Zr[y]O[2] содержат 47.5% HfO[2], 52.4% ZrO[2], 2.5% La[2]O[3].

Usage statistics

stat Access count: 21
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics