Структуры на основе подвешенного графена - перспективные элементы для задач электроники, фотоники и сенсорики вследствие возможности устранения ловушечных состояний в подложке, повышения быстродействия и чувствительности графенового слоя. Также актуально развитие методик внедрения углеродных наноструктур в кремниевую технологию создания устройств микро- и наноэлектроники. В работе представлены особенности формирования кремниевой мембраны и сквозных пор в ней, а также осаждения графена на кремниевые мембраны. Получены спектры комбинационного рассеяния света подвешенного графена, показывающие сдвиги G-пика на 4,5 см{-1} и 2D-пика на 7,5 см{-1} относительно пиков графена, находящегося на кремнии. С помощью кривых подвода и отвода зонда атомно-силового микроскопа исследован возможный прогиб графена в сквозное отверстие, показывающий расстояния, на которых расположены притягивающие и отталкивающие силы в системе зонд - подвешенный графен. Установлено, что ввиду значительного провисания графена на 1 мкм при диаметре поры 5 мкм фокусировка лазера затруднена. Это в первую очередь влияет на использование структур подвешенного графена в качестве основы для газового или жидкостного сенсора различных органических соединений, а также для транзисторов.

Structures based on suspended graphene are promising elements for problems in photonics and sensory electronics due to the elimination of trap states in the substrate and an increase in the speed and sensitivity of the graphene layer. The development of carbon nanostructure based groups of techniques’ incorporation into silicon based technologies of micro- and nanoelectronic devices creation is also of relevance. In this work, the features of the technique for the formation of a silicon membrane and pores in it, as well as the deposition of graphene on silicon membranes, are presented. The Raman spectra of suspended graphene showing a shift of the G-peak by 4.5 cm{-1} and the 2D peak by 7.5 cm{-1} relative to the peaks of graphene lying on silicon have been obtained. With the help of approach-retraction curves of the probe of an atomic force microscope, a possible deflection of suspended graphene was studied, showing the distances at which the attractive and repulsive forces are located in the probe - suspended graphene system. It has been established that considerable deflection of graphene, by 1 mum at the pore diameter 5 mum, presents challenge to laser focusing. This primarily affects the use of such structures as a basis for gas or fluid sensor of various organic compounds and for suspended graphene based transistors.

Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. — Москва: МИЭТ, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 6 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7821>.

Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. — Москва: МИЭТ, 2022 -. Т. 27, № 6, 2022. — (11 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/contents.asp?id=49993421>.