Electronic Documents Search

Documents found: 65

A method for minimizing aging influence on rail-to-rail operational amplifier with thin oxide transistors // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 3. — С. 351-359

Creators	Melikyan V. Sh.; Ghukasyan S. A.; Harutyunyan S. S.; Voskanyan G. A.; Asatryan N. A.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Детали и узлы электрических аппаратов; Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; operational amplifiers (radioelectronics); transistors; oxide transistors; transistor aging; semiconductors; rail-to-rail design method; операционные усилители (радиоэлектроника); транзисторы; оксидные транзисторы; тонкие оксидные транзисторы; старение транзисторов; полупроводники; метод проектирования rail-to-rail
UDC	621.3; 621.382
LBC	31.264-04; 32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	English
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-3-351-359
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54011395

Взаимодействие электромагнитной Н-волны с наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик" с учетом анизотропии зонной структуры полупроводника // Оптика и спектроскопия. – 2023. – Т. 131, № 7. — С. 965-972

Creators	Кузнецова И. А.; Савенко О. В.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физическая оптика; Физика полупроводников и диэлектриков; электромагнитные Н-волны; наноструктуры; диэлектрики; полупроводники; структура полупроводников; зонная структура полупроводников; анизотропия полупроводников
UDC	535.2/3; 537.311.33
LBC	22.343; 22.379
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.21883/OS.2023.07.56132.4865-23
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=54500830

Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 46-56

Creators	Барыкин Д. А.; Шугуров К. Ю.; Можаров А. М.; Мухин И. С.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; полупроводники; гетероструктуры; нитрид галлия; кремний; туннельный эффект (физика); численное моделирование; туннельные диоды; semiconductors; heterostructures; gallium nitride; silicon; tunnel effect (physics); numerical simulation; tunnel diodes
UDC	537.311.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.17305
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.1 Mb

Аномальный эффект Шоттки у поверхности полупроводника при равновесном распределении мелкой примеси в области пространственного заряда // Материалы...25-30 ноября 2002 года. – 2003. – Радиофизический факультет. — Ч.7

Creators	Харкевич П,В.; Бондаренко В. Б.
Other creators	Глухов Владимир Викторович
Organization	Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научная конференция. Неделя науки (31; 2002; Санкт-Петербург); СпбГПУ. Радиофизический факультет; Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов
Imprint	СПб., 2003
Collection	Общая коллекция
Subjects	полупроводники; электронная эмиссия; пространственный заряд; электроактивные дефекты
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 108 Kb

Влияние режима формирования покровного слоя на фотолюминесценцию квантовых точек арсенида индия InAs в кремнии // Оптический журнал. – 2025. – № 4. — С. 14-21

Creators	Лендяшова В. В.; Илькив И. В.; Талалаев В. Г.; Шугабаев Т.; Резник Р. Р.; Цырлин Г. Э.
Imprint	2025
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; арсенид индия; квантовые точки; фотолюминесценция; молекулярно-пучковая эпитаксия; полупроводники; кремний; гетероструктуры; люминесцентные характеристики; india arsenide; quantum dots; photoluminescence; molecular beam epitaxy; semiconductors; silicon; heterostructures; luminescent characteristics
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2025-92-04-14-21
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/15689182/viewer?udb=12&page=16

Оптические исследования гетероструктур GaN/AlGaN в терагерцовом диапазоне частот: бакалаврская работа: 16.03.01

Creators	Галимов Айдар Ильшатович
Scientific adviser	Шалыгин Вадим Александрович
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint	Санкт-Петербург, 2016
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	эмиссия излучения; терагерцовый диапазон; полупроводники; оптические свойства; 2D-плазмоны; 2D-электроны; гетерострукуры; radiation emission; the terahertz range; semiconductors; optical properties; 2D-plasmons; 2D-electrons; heterostructure
Document type	Bachelor graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Bachelor
Speciality code (FGOS)	16.03.01
Speciality group (FGOS)	160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI	10.18720/SPBPU/2/v16-352
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 2.7 Mb

Creators	Melikyan V. Sh.; Ghukasyan S. A.; Harutyunyan S. S.; Voskanyan G. A.; Asatryan N. A.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Детали и узлы электрических аппаратов; Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; operational amplifiers (radioelectronics); transistors; oxide transistors; transistor aging; semiconductors; rail-to-rail design method; операционные усилители (радиоэлектроника); транзисторы; оксидные транзисторы; тонкие оксидные транзисторы; старение транзисторов; полупроводники; метод проектирования rail-to-rail
UDC	621.3; 621.382
LBC	31.264-04; 32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	English
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-3-351-359
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54011395

плотность электронных состояний на естественно неупорядоченной поверхности полупроводника // Материалы...26 ноября - 1 декабря 2001 года. – 2002. – Радиофизический факультет. — Ч.8

Creators	Спицына А. С; Бондаренко Вячеслав Борисович
Other creators	Глухов Владимир Викторович
Organization	Санкт-Петербургский государственный технический университет. Межвузовская научная конференция, Юбилейная неделя науки (30; 2001; Санкт-Петербург); Совет СПбГТУ по научно-исследовательской работе студентов
Imprint	Санкт-Петербург, 2003
Collection	Общая коллекция
Subjects	полупроводники; поверхностные состояния; поверхностные реакции
UDC	537.533.8
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 119 Kb

Низкотемпературные свойства твердых растворов (PbzSn1-z)1-xInxTe // Материалы...26 ноября - 1 декабря 2001 года. – 2002. – Радиофизический факультет. — Ч.8

Creators	Шакура Д. В.; Немов Сергей Александрович
Other creators	Глухов Владимир Викторович
Organization	Санкт-Петербургский государственный технический университет. Межвузовская научная конференция, Юбилейная неделя науки (30; 2001; Санкт-Петербург); Совет СПбГТУ по научно-исследовательской работе студентов
Imprint	Санкт-Петербург, 2003
Collection	Общая коллекция
Subjects	полупроводники; электрофизические свойства; сверхпроводимость
UDC	621.315.592
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 174 Kb

Методы измерения кинетических коэффициентов полупроводников (на примере поперечного эффекта Нернста-Эттинсгаузена) // Материалы...26 ноября - 1 декабря 2001 года. – 2002. – Радиофизический факультет. — Ч.8

Creators	Никулина М. Ю.; Немов Сергей Александрович
Other creators	Глухов Владимир Викторович
Organization	Санкт-Петербургский государственный технический университет. Межвузовская научная конференция, Юбилейная неделя науки (30; 2001; Санкт-Петербург); Совет СПбГТУ по научно-исследовательской работе студентов
Imprint	Санкт-Петербург, 2003
Collection	Общая коллекция
Subjects	кинетические коэффициенты; ПЭНЭ; внешние поля; полупроводники
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 129 Kb