Статистика использования

Ледяев, О.Ю. Влияние условий роста на свойства эпитаксиальных слоев AlN, выращенных на подложках SiC методом хлоридно-гидридной эпитаксии [Электронный ресурс] / О.Ю. Ледяев, В.Г. Сидоров, А.Е. Николаев. — (Секция "Физика полупроводников и наноэлектроника"). — Электрон. текстовые дан. (1 файл :113 Кб) // Материалы...26 ноября - 1 декабря 2001 года [Электронный ресурс] / Совет СПбГТУ по научно-исследовательской работе студентов; Под общ. ред. В.В. Глухова. – Санкт-Петербург. – 2002. – Радиофизический факультет [Электронный ресурс]. — Загл. с титул. экрана. — Электрон. версия печ. публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 4.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/001520.pdf>.

stat
Период Чтение Печать Копирование Открытие Итого
Год 2012 18 0 13 0 31
Год 2013 40 0 19 0 59
Год 2014 77 0 26 0 103
Год 2015 69 0 51 0 120
Год 2016 57 0 28 0 85
Год 2017 28 0 33 0 61
Год 2018 22 0 60 0 82
Год 2019 11 0 47 0 58
Год 2020 26 0 24 0 50
Год 2021 29 0 32 0 61
Год 2022 54 0 29 0 83
Год 2023 47 0 33 0 80
Год 2024 18 0 16 0 34
Всего 496 0 411 0 907