Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников А³В⁵ и кремния и их применение в сенсорах водорода: автореф. дис. … д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10

Детальная информация

	Таблица	Карточка	RUSMARC

Название:	Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников А³В⁵ и кремния и их применение в сенсорах водорода: автореф. дис. … д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10
Авторы:	Салихов Хафиз Миргазямович
Организация:	Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Выходные сведения:	СПб., 2010
Коллекция:	Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Тематика:	Диоды полупроводниковые с барьером Шоттки; Полупроводниковые гетеропереходы; Сенсоры оптоэлектронные
УДК:	621.382.2(043.3); 537.311.322(043.3); 621.383.526(043.3)
Тип документа:	Автореферат
Тип файла:	PDF
Язык:	Русский
Код специальности ОКСВНК:	01.04.10
Группа специальностей ОКСВНК:	010000 - Физико-математические науки
Права доступа:	Доступ из локальной сети ИБК СПбПУ (чтение)
Ключ записи:	RU\SPSTU\edoc\17431

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,5 Мб)

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

	Место доступа		Группа пользователей		Действие
	Локальная сеть ИБК СПбПУ		Все
	Интернет		Все

Количество обращений: 1070
За последние 30 дней: 32
Подробная статистика