Details

Title Оптическое исследование брэгговской системы плазмонных нановключений As и AsSb в матрице AlGaAs: магистерская диссертация
Creators Ушанов Виталий Игоревич
Organization Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2014
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects Наноструктурные материалы ; Полупроводники — Оптические свойства ; Мышьяк
UDC 537.311.322:546.19(043.3)
Document type Other
File type PDF
Language Russian
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\22182
Record create date 7/7/2014

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

В данной работе проведены экспериментальные и теоретические исследования оптических свойств метаматериалов на основе полупроводниковой матрицы AlGaAs, содержащей массивы металлических нановключений AsSb. Исследуемые образцы содержали хаотические трёхмерные массивы нановключений AsSb или периодическую брэгговскую структуру слоёв AsSb. Получены и проанализированы спектры экстинкции света для структур, содержащих хаотические трёхмерные массивы нановключений As и AsSb. Впервые экспериментально обнаружен плазмонный резонанс в системе AsSb-AlGaAs. По теории Ми проведён расчёт спектров оптической экстинкции. Расчётные и экспериментальные параметры плазмонного резонанса совпали: резонансная частота составила 1.48эВ, а полная ширина на половине высоты - 0.18эВ. В случае нановключений As резонансная частота находится за пределами окна прозрачности матрицы AlGaAs.Также исследованы зависимости оптического отражения от периодической брэгговской системы слоёв нановключений AsSb в матрице AlGaAs для различных углов падения и поляризаций света. В экспериментальных спектрах наблюдается устойчивая брэгговская дифракция. Положение главного брэгговского пика при нормальном падении было зарегистрировано на энергии квантов света 1.57эВ, а его амплитуда составила 23%. Основной причиной сильной брэгговской дифракции света на слоях нановключений AsSb является близость по энергии плазмонного и брэгговского резонансов. Моделирование резонансного брэгговского отражения для различных углов падения и поляризаций света было выполнено методом матриц переноса, с учётом параметров обнаруженного плазмонного резонанса в системе нановключений AsSb.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 892 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics