Детальная информация
Название | Влияние конструкции барьерного слоя на электрофизические параметры транзисторных гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом МЛЭ: магистерская диссертация |
---|---|
Авторы | Ионов Леонид Эдуардович |
Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2014 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
Тематика | Полупроводниковые структуры; Триоды полупроводниковые |
УДК | 537.311.322(043.3) |
Тип документа | Другой |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\22299 |
Дата создания записи | 11.07.2014 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Изменение содержания Al в барьерном слое AlxGa1-xN от 25% до 40% приводит к изменению слоевого сопротивления от 400-420 до 250-270 Ом/ед. пл. Однако увеличение содержания Al выше 30% затрудняет получение омических контактов, а так же приводит к релаксации напряжений. Поэтому оптимальной является структура с концентрацией Al порядка 30%. При данном составе слоевая концентрация электронов равна 1.5-1.6·1013 см-2, подвижность- 1300-1400 см2/В·с, а слоевое сопротивление- 290-310 Ом/ед. пл. Использование сверхрешеток в виде барьерного слоя позволяет увеличить концентрацию и подвижность электронов, однако при этом необходима дальнейшая оптимизация технологии термического отжига омических контактов. Были получены транзисторные гетероструктуры с барьерным слоем In0.17Al0.83N, согласованным по параметрам решётки с GaN, с электрофизическими параметрами: слоевая концентрация электронов - 2,1·1013 см-2, подвижность электронов в канале - 1100 см2/В.с.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 860
За последние 30 дней: 0