Детальная информация

Куней, Александр Владимирович. Динамика релаксации фотоиндуцированного поглощения в структурах с квантовыми точками Ge/Si [Электронный ресурс]: магистерская диссертация / А.В. Куней; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,97 Мб). — Санкт-Петербург, 2015. — Загл. с титул. экрана. — Рез. на англ. яз. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/6033.pdf>.

Дата создания записи: 15.07.2015

Тематика: Полупроводники — Фотоэлектрические свойства; Лазерное излучение; Инфракрасные лучи

УДК: 537.311.322:535-15(043.3)

Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (2,0 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В диссертации на соискание учёной степени магистра рассматривается динамика релаксации фотоиндуцированного поглощения в структурах с квантовыми точками Ge/Si. Экспериментально проводится измерение временных характеристик релаксации фотоиндуцированного поглощения Ge/Siквантовых точек. Измеряются кривые релаксации поглощения среднего ИК диапазона после возбуждения неравновесных носителей заряда коротким лазерным импульсом при разных температурах. Проводится экспериментальноеопределение времен жизни носителей заряда в структурах с квантовыми точками Ge/Si.

In this master's thesis the dynamics of the photoinduced absorptionrelaxation in Ge/Si quantum dots structures is considered. The temporal characteristics of the photoinduced absorption relaxation in Ge/Si quantum dots were measured experimentally. Relaxation curves of mid-IR absorption after excitation of nonequilibrium charge carriers by short laser pulse at different temperatures were measured. Experimental determination of the charge carrierlifetimes in Ge/Si quantum dot structures was carried out.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 686
За последние 30 дней: 11
Подробная статистика