Детальная информация

Яичников, Денис Юрьевич. Оптические свойства микроструктур n-GaN/сапфир [Электронный ресурс]: бакалаврская работа / Д. Ю. Яичников; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Физики полупроводников и наноэлектроники. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,09 МБ). — Санкт-Петербург, 2015. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/6618.pdf>.

Дата создания записи: 09.09.2015

Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (1,1 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Проведены теоретические расчеты оптических свойств эпитаксиальных слоев n-GaN с различным уровнем легирования. Найдены спектры диэлектрической проницаемости, а также спектры показателей поглощения и преломления эпитаксиального слоя n-GaN. Рассмотрены структуры n-GaN/сапфир с разной толщиной эпитаксиального слоя, для которых рассчитаны спектры отражательной и поглощательной способностей. Экспериментально исследованы равновесные спектры отражения n-GaN. Исследован спектр эмиссии ТГц излучения эпитаксиального слоя n-GaN в латеральном электрическом поле. Проведено сопоставление результатов эксперимента с расчетом. Результаты исследований могут быть использованы для разработки источника ТГц излучения с электрической накачкой.

Theoretical calculations of the optical properties of epitaxial n-GaN layers with different doping levels were performed. Permittivity, absorption and refractive index spectra of the epitaxial n-GaN layer were found. Reflectance and absorbance spectra were simulated for the n-GaN/sapphire structures with different thickness of the epitaxial layer. The equilibrium reflection spectra were experimentally investigated for n-GaN/sapphire structure. The spectrum of THz radiation emission in epitaxial n-GaN layer in the lateral electric field was experimentally studied. The comparison of the experimental results with the calculations was performed. The research results can be used to develop a source of THz radiation with an electric pumping.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 540
За последние 30 дней: 18
Подробная статистика