Детальная информация

Название: Thermal resistance and non-uniform distribution of electroluminescence and temperature in high-power AlGaInN light-emitting diodes // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2015. – № 2 (218)
Авторы: Aladov Andrei V.; Bulashevich Kirill A.; Chernyakov Anton E.; Karpov Sergey Yu.; Valyukhov Vladimir P.; Zakgeym Alexander L.
Организация: Министерство образования и науки Российской Федерации
Выходные сведения: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2015
Коллекция: Общая коллекция
Тематика: Диоды светоизлучающие; Электролюминесценция; Микроскопия
УДК: 535.37(045)
Тип документа: Статья, доклад
Тип файла: PDF
Язык: Английский
Ссылки: http://doi.org/10.5862/JPM.218.7

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,6 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ

Аннотация

The paper studies current spreading, light emission, and heat transfer in high-power flip-chip-emitting diodes (LEDs) and their effect on the chip thermal resistence by experimental and theoretical approaches.

Теоретически и экспериментально исследованы распределения светового излучения, тока и тепла, а также их влияние на общее тепловое сопротивление в мощных AlGaInN светодиодах флип-чип конструкции. Тепловое сопротивление измерялось как по методу релаксации прямого напряжения с использованием прибора T3Ster, так и с применением инфракрасной тепловизионной микроскопии.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
-> Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 251
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика