Абросимов, Александр Сергеевич. Численное моделирование резонансно-туннельных структур на основе барьера Шоттки и гетероперехода GaAs/AlGaAs [Электронный ресурс] / А. С. Абросимов, В. Н. Агарев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 948 Кб) // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки = St. Petersburg state polytechnical university journal. Physics and mathematics: научное издание / Министерство образования и науки Российской Федерации. – 2018. – Т. 11, № 1 [Электронный ресурс]. — Загл. с титул. экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://dx.doi.org/10.18721/JPM.11101>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j18-255.pdf>.
Период
|
Чтение
|
Печать
|
Копирование
|
Открытие
|
Итого
|
Год 2019
|
33
|
0
|
50
|
0
|
83
|
Год 2020
|
32
|
0
|
26
|
0
|
58
|
Год 2021
|
45
|
0
|
63
|
0
|
108
|
Год 2022
|
33
|
0
|
73
|
0
|
106
|
Год 2023
|
19
|
0
|
82
|
0
|
101
|
Год 2024
|
11
|
0
|
27
|
0
|
38
|
Всего
|
173
|
0
|
321
|
0
|
494
|