Детальная информация

Название: Исследование теплового режима в мощных светодиодных матрицах // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2018. – Т. 11, № 3
Авторы: Аладов А. В.; Белов И. В.; Валюхов В. П.; Закгейм А. Л.; Черняков А. Е.
Организация: Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН; Университет Йончёпинг. Инженерная школа; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Выходные сведения: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2018
Коллекция: Общая коллекция
Тематика: Физика; Физические приборы и методы физического эксперимента; светодиодные матрицы; мощные светодиодные матрицы; тепловые режимы; светодиоды; термография; CFD-модели; led matrix; powerful led matrix; thermal condition; led light; thermography; CFD models
УДК: 53.07
ББК: 22.3с
Тип документа: Статья, доклад
Язык: Русский
Ссылки: http://dx.doi.org/10.18721/JPM.11304

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (1,3 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ

Аннотация

Исследовались зависимости теплового сопротивления и распределения температуры по площади от тока высокомощных AlGaInN светодиодных матриц, изготовленных по технологии "чип на плате". Экспериментальные исследования тепловых процессов проводились как методом релаксации прямого напряжения с использованием прибора T3Ster, так и с применением инфракрасной термографии. Для интерпретации экспериментальных результатов проводилось трехмерное численное моделирование распределения тепла и теплообмена в светодиодной матрице с помощью программного пакета Flotherm 10.1. Для оценки влияния деформации платы был предложен метод разбивки теплового сопротивления между радиатором и алюминиевой платой со светодиодной матрицей на зоны для моделирования влияния тепловой деформации. Применение модифицированной CFD-модели позволило прогнозировать распределение температурных полей.

Thermal resistance and temperature distribution for high-power AlGaInN LED chip-on-board arrays were measured by different methods and tools. The p–n junction temperature was determined through measuring a temperature-dependent forward voltage drop on the p–n junction, at a low measuring current after applying a high heating current. Furthermore, the infrared thermal imaging technique was employed to obtain the temperature map for the test object. A steady-state 3D computational model of the experimental setup was created including temperature-dependent power dissipation in the LED chips. Simulations of the heat transfer in the LED array were performed to further investigate temperature gradients observed in the measurements. Simulations revealed possible thermal deformation of the assembly as the reason for the hot spot formation.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
-> Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 52
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика