| Table | Card | RUSMARC | |
|
|
Allowed Actions: Read Download (4.6 Mb) Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Исследовано влияние типа легирования (поверхностное (I) либо объемное (II)) на характер дипольной плазмонной моды в полупроводниковых нанокристаллах CdSe. Установлено, что в I случае (доноры расположены на поверхности нанокристалла) коллективная мода имеет вращательный характер и возбуждаются только угловые степени свободы. Напротив, во II случае заряд легирующих примесей распределен по всему объему системы и плазмонное возбуждение - суть колебание делокализованных носителей заряда в направлении нормали к поверхности. Показано, что положение резонансной линии обусловлено не только концентрацией свободных зарядов, но и характером их коллективного движения, который определяется типом легирования.
The effect of the type of doping (surface (I) or bulk (II) doping) on the character of the dipole plasmon mode in semiconductor CdSe nanocrystals has been studied. It was found that in case I (donors located on the surface of the nanocrystal) the collective mode had a rotational character and only the angular degrees of freedom were excited. On the contrary, in case II the charge of the dopant impurities was distributed throughout the system and plasmon excitation was the oscillation of delocalized charge carriers in the direction normal to the surface. It was shown that the position of the resonance line was determined not only by the concentration of free charges, but also by the character of their collective motion determining by the type of doping.
Document access rights
| Network | User group | Action | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
||||
|
Internet | All |
|
Included in
Usage statistics
|
|
Access count: 56
Last 30 days: 9 Detailed usage statistics |