Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,8 Мб) Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
In the paper, films of higher manganese silicide Mn[4]Si[7] have been made and a lot of their properties have been investigated. The composition and structure of the films formed by ion-plasma magnetron sputtering were examined by scanning electron microscopy and X-ray analysis. The temperature dependences of film resistivity (by the four-probe method), of their Seebeck coefficient (by the two-probe method), as well as their Hall constant and optical reflectivity spectra (at room temperature). Their thermoelectric figure of merit, the energy-gap width (0.66 eV), charged-particle density and mobility, etc., were calculated. The properties of the films in the amorphous and polycrystalline phases were compared. The thermopower of the Mn[4]Si[7] film was established to increase by about 6 times during the transition from the amorphous phase to the polycrystalline one. The results obtained indicate that it is possible to use this film in heat wave detectors.
Были изготовлены пленки высшего силицида марганца Mn[4]Si[7] и изучен широкий спектр их свойств. Состав и структура пленок, полученных методом ионно-плазменного магнетронного распыления, исследовались методами сканирующей электронной микроскопии и рентгенофазового анализа. Были измерены температурные зависимости удельного сопротивления пленок (четырехзондовый метод), их коэффициента Зеебека (двухзондовый метод), а также постоянная Холла и спектры оптического отражения (при комнатной температуре). Рассчитаны термоэлектрическая добротность, ширина запрещенной зоны (0,66 эВ), концентрация и подвижность заряженных частиц и др. параметры. Проведено сравнение свойств пленок, находящихся в аморфной и поликристаллической фазах. Установлено, что термоэдс пленки при переходе из аморфного состояния в поликристаллическое увеличивается примерно в 6 раз. Полученные результаты доказывают, что пленку можно применять в детекторах тепловолнового излучения.
Права на использование объекта хранения
Входит в состав
Статистика использования
Количество обращений: 57
За последние 30 дней: 8 Подробная статистика |