Details

Title: Зависимость длины волны излучения и состава от параметров роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии GaAs квантовой точки в AlGaAs нитевидных нанокристаллах на подложке Si(111): магистерская диссертация: 16.04.01
Creators: Резник Родион Романович
Scientific adviser: Цырлин Георгий Эрнестович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2016
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Полупроводники — Кристаллы - Получение; Наноструктурные материалы; Полупроводниковые пленки — Получение; нитевидные нанокристаллы; молекулярно-пучковая эпитаксия; threadlike nanocrystals; molecular beam epitaxy
UDC: 620.22-022.53:548.7(043.3); 539.23:621.315.592(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.04.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v16-2778
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions: Read Download (1.6 Mb) You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В оригинальной части дипломной работы приведены результаты исследований направленности излучения самокаталитических нитевидных нанокристаллов (ННК) типа «GaAs ННК в оболочке AlGaAs» с разной степенью легирования бериллия и исследований роста и свойств наноструктур типа «вставка GaAs, внедренная в AlGaAs нитевидный нанокристалл», выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора.

The original part of the thesis presents the results of the work directed onto investigation of the radiation produced by self-catalitic threadlike nanocrystals (TLNC). The crystals were grown at Si(111) surface by the molecular beam epitaxe method with gold used as the catalist. They had the stucture of “GaAs TLNCs in AlGaAs shell” with varied level of doping with Be. Growth and properties of nanostructures of another type “GaAs segments in an AlGaAs TLNC” were also studied.

Document access rights

Network User group Action
FL SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Document usage statistics

stat Document access count: 675
Last 30 days: 16
Detailed usage statistics