Резник, Родион Романович. Зависимость длины волны излучения и состава от параметров роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии GaAs квантовой точки в AlGaAs нитевидных нанокристаллах на подложке Si(111) [Электронный ресурс]: магистерская диссертация: 16.04.01 / Р. Р. Резник; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. Г. Э. Цырлин. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,58 МБ). — Санкт-Петербург, 2016. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v16-2778.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v16-2778>.
|
Period
|
Read
|
Print
|
Copy
|
Open
|
Total
|
|
Year 2017
|
35
|
0
|
95
|
0
|
130
|
|
Year 2018
|
23
|
0
|
281
|
0
|
304
|
|
Year 2019
|
14
|
0
|
209
|
0
|
223
|
|
Year 2020
|
6
|
0
|
35
|
0
|
41
|
|
Year 2021
|
0
|
0
|
2
|
0
|
2
|
|
Year 2022
|
1
|
0
|
0
|
0
|
1
|
|
2023
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Year 2024
|
1
|
0
|
1
|
0
|
2
|
|
Total
|
80
|
0
|
623
|
0
|
703
|
