Детальная информация
Название | Анализ упругих напряжений и изгиба, индуцированных электрическим полем, в структурах приборов силовой электроники: бакалаврская работа: 16.03.01 |
---|---|
Авторы | Руденко Анна Сергеевна |
Научный руководитель | Карпов Сергей Юрьевич |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2016 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
Тематика | электрические поля; силовая электроника; диоды Шоттки; p-i-nдиоды; Шоттки диоды; закон Гука; Гука закон; критерий Гриффитса; Гриффитса критерий; the electric field; power electronics |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Бакалавриат |
Код специальности ФГОС | 16.03.01 |
Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/v16-354 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\32144 |
Дата создания записи | 10.08.2016 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Данная работа посвящена теоретическому исследованию влияния встроенных электрических полей на изгиб и напряжённое состояние типичных структур приборов силовой электроники, таких как диодов Шоттки и p-i-nдиодов, изготавливаемых на основе широкозонных полупроводников - карбида кремния и нитридов III группы. Развитые для этой цели модели учитывают взаимосвязь механических и электрических эффектов в этих материалах. Для нахождения распределения электрического поля в структурах диодов Шоттки и p-i-nдиодов использовалось аналитическое решение уравнения Пуассона в приближении обедненной носителями области пространственного заряда и полностью ионизованной примеси. Упругие напряжения и деформации определялись в приближении однородных деформаций, на основе обобщённого закона Гука. Для оценки возможного растрескивания структур приборов силовой электроники применялся критерий Гриффитса.
The work reports on theoretical study ofbuilt-in electric field impact on curvature and stress state of typical high-power electronic devices, like Schottky and p-i-n diodes, made of wide-bandgap semiconductors, silicon carbide and group-III nitrides. The models developed for this purpose account for the coupling of mechanical and electrical effects occurring in these materials. For calculating the electric field distributions in Schottky and p-i-n diode structures, analytical solution of the Poisson equation was used, assuming the space-charge regions to be completely depleted with carriers and donors/acceptors to be totally ionized. The elastic stress and strain were determined within the homogeneous-deformation approximation, using the generalized Hooke's law. The Griffits's criterion was applied to estimate the possibility of structure cracking because of the tensile stress.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 292
За последние 30 дней: 0