Детальная информация

Название Анализ упругих напряжений и изгиба, индуцированных электрическим полем, в структурах приборов силовой электроники: бакалаврская работа: 16.03.01
Авторы Руденко Анна Сергеевна
Научный руководитель Карпов Сергей Юрьевич
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2016
Коллекция Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика электрические поля; силовая электроника; диоды Шоттки; p-i-nдиоды; Шоттки диоды; закон Гука; Гука закон; критерий Гриффитса; Гриффитса критерий; the electric field; power electronics
Тип документа Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла PDF
Язык Русский
Уровень высшего образования Бакалавриат
Код специальности ФГОС 16.03.01
Группа специальностей ФГОС 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI 10.18720/SPBPU/2/v16-354
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\32144
Дата создания записи 10.08.2016

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Данная работа посвящена теоретическому исследованию влияния встроенных электрических полей на изгиб и напряжённое состояние типичных структур приборов силовой электроники, таких как диодов Шоттки и p-i-nдиодов, изготавливаемых на основе широкозонных полупроводников - карбида кремния и нитридов III группы. Развитые для этой цели модели учитывают взаимосвязь механических и электрических эффектов в этих материалах. Для нахождения распределения электрического поля в структурах диодов Шоттки и p-i-nдиодов использовалось аналитическое решение уравнения Пуассона в приближении обедненной носителями области пространственного заряда и полностью ионизованной примеси. Упругие напряжения и деформации определялись в приближении однородных деформаций, на основе обобщённого закона Гука. Для оценки возможного растрескивания структур приборов силовой электроники применялся критерий Гриффитса.

The work reports on theoretical study ofbuilt-in electric field impact on curvature and stress state of typical high-power electronic devices, like Schottky and p-i-n diodes, made of wide-bandgap semiconductors, silicon carbide and group-III nitrides. The models developed for this purpose account for the coupling of mechanical and electrical effects occurring in these materials. For calculating the electric field distributions in Schottky and p-i-n diode structures, analytical solution of the Poisson equation was used, assuming the space-charge regions to be completely depleted with carriers and donors/acceptors to be totally ionized. The elastic stress and strain were determined within the homogeneous-deformation approximation, using the generalized Hooke's law. The Griffits's criterion was applied to estimate the possibility of structure cracking because of the tensile stress.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Анонимные пользователи

Количество обращений: 292 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика