В структурах с туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследовано изменение поглощения света и двойного лучепреломления в спектральном диапазоне, соответствующем межподзонным переходам электронов. Наблюдаемые явления обусловлены разогревом электронов в продольном электрическом поле и их перераспределением в реальном пространстве. Определена температура горячих носителей в продольном электрическом поле по спектрам модуляции полем фотолюминесценции и межподзонного поглощения.

Birefringence and absorption modulation in the tunnel-coupled GaAs/AlGaAs quantum wells were studied in the spectral region corresponding to intersubband electron transitions. The observed phenomena are attributed to electron heating in lateral electric field and electron transfer in real space. The temperature of hot carriers in the lateral electric field was determined.