В данной работе исследовалось влияния конструкции двойной транзисторной гетероструктуры AlGaN/GaN/AlGaN на электрофизические параметры двумерного электронного газа. Использование Ga в качестве суфрактанта при росте буферного слоя AlN позволило получить гетероструктуры с подвижностью 1800-1900 см2/В.с. При использование AlN в качестве барьерного слоя были получены структуры с подвижностью электронов 1050 см2/В∙с и концентрацией 1.6 × 1013 см-2 при этом толщина барьерного слоя составила 3 нм. Выращенные структуры с барьерным слоем InAlN толщиной 9нм при потоке аммиака 1000 см3/мин имели подвижность 1100-1200 см2/В∙с и концентрацию 2.0-2.2 × 1013 см-2.

In this work the effect of design of double transistor heterostructure AlGaN/GaN/AlGaN on the electrical parameters of the two-dimensional electron gas was investigated. The use of Ga as surfactant with growth AlN buffer layer allowed to obtain heterostructures with a mobility 1800-1900 cm2/V∙s. Heterostructures with the barrier layer AlN with the electron mobility of 1050 cm2/V∙s and concentration of 1.6 × 1013 cm-2 were obtained, the thickness of the barrier layer was 3 nm. The grown structures with a barrier layer InAlN at the thickness of 9nm at ammonia flow 1000 cm3/min had a mobility of 1100-1200 cm2/V∙s and ∙ concentration of 2.0-2.2 × 1013 cm-2.