Детальная информация

Название: Исследование возможности усиления фототока в гетероструктурах II - типа на основе узкозонных полупроводников А3В5: бакалаврская работа: 11.03.04
Авторы: Глотов Андрей Юрьевич
Научный руководитель: Сидоров Валерий Георгиевич; Коновалов Глеб Георгиевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2017
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: фототоки; гетероструктуры; фотоэлектрические характеристики; фотоны; обратное напряжение
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.03.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v17-2751
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (1,3 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Исследовано усиление фототока в наногетероструктуре n-GaSb/InAs/p-GaSb. Получены вольт-амперные, вольт-фарадные и фотоэлектрические характеристики при температуре Т = 77 К. Получено напряжение отсечки Uотс = 0.42 В. Максимум фотоответа наблюдался при длине волны света 1.5 мкм, что соответствует фотонам с энергией равной энергии ширины запрещенной зоны GaSb. Усиление фототока начиналось со значений обратного напряжения U = -0.05 В.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 464
За последние 30 дней: 5
Подробная статистика