Исследовано усиление фототока в наногетероструктуре n-GaSb/InAs/p-GaSb. Получены вольт-амперные, вольт-фарадные и фотоэлектрические характеристики при температуре Т = 77 К. Получено напряжение отсечки Uотс = 0.42 В. Максимум фотоответа наблюдался при длине волны света 1.5 мкм, что соответствует фотонам с энергией равной энергии ширины запрещенной зоны GaSb. Усиление фототока начиналось со значений обратного напряжения U = -0.05 В.