| Таблица | Карточка | RUSMARC | |
|
|
Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (1,3 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Исследовано усиление фототока в наногетероструктуре n-GaSb/InAs/p-GaSb. Получены вольт-амперные, вольт-фарадные и фотоэлектрические характеристики при температуре Т = 77 К. Получено напряжение отсечки Uотс = 0.42 В. Максимум фотоответа наблюдался при длине волны света 1.5 мкм, что соответствует фотонам с энергией равной энергии ширины запрещенной зоны GaSb. Усиление фототока начиналось со значений обратного напряжения U = -0.05 В.
Права на использование объекта хранения
| Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
||||
|
Интернет | Все |
|
Статистика использования документа
|
|
Количество обращений: 464
За последние 30 дней: 5 Подробная статистика |