Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Исследовано влияние оже-рекомбинации на оптические свойства полупроводниковых структур с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb. Экспериментально получены спектры межзонной фотолюминесценции для структур с различной шириной квантовых ям: 4, 5, 7 и 9 нм. Из спектров фотолюминесценции рассчитана электронная температура. Экспериментально и теоретически получены зависимости концентрации носителей заряда от интенсивности оптической накачки.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 643
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |