Детальная информация

Название: Исследование процессов медленной деградации в слоях и гетероструктурах на основе A²B⁶: магистерская диссертация: 16.04.01
Авторы: Кравец Влад Андреевич
Научный руководитель: Иванова Екатерина Владимировна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2017
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Генераторы квантовые полупроводниковые; Полупроводниковые гетеропереходы; Катодолюминесценция; спектральные диапазоны
УДК: 621.373.8.038.835.5(043.3); 537.311.322(043.3); 535.376(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Магистратура
Код специальности ФГОС: 16.04.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-2771
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\40254

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Работа заключалась в комплексном исследовании процесса медленной деградации трех гетероструктур на основе A²B⁶, которые перспективны для создания лазеров в сине-зеленом спектральном диапазоне. Гетероструктуры представляли собой толстые пленки ZnSe и ZnCdSe выращенные на подложке GaAs. Исследование проводилось методами катодолюминесценции, просвечивающей электронной микроскопии и рентгенодифракционного фазового анализа. Оценивались такие параметры как: геометрические размеры и состав слоев, структурное совершенство, устойчивость к деградационным процессам.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • Диссертация допущена к защите
  • Д И С С Е Р Т А Ц И Я
  • М А Г И С Т Р А
    • Направление: 16.04.01 – «Техническая физика»
    • Магистерская программа: «Физика и техника полупроводников»
  • Введение
    • Свойства материалов
      • Общие свойства соединений A2B6
      • Свойства твердых растворов А2В6
      • Методы роста пленок и гетероструктур A2B6 и их особенности
    • Дефекты
      • Точечные дефекты
      • Линейные дефекты
      • Двумерные дефекты
    • Деградация
      • Общие сведения о деградации лазерных структур
      • Катастрофическая оптическая деградация
      • Образование «дефектов темных линий» (ДТЛ).
      • Медленная деградация (МД)
  • Методы исследования и образцы
    • Метод катодолюминесценции
      • Общие сведения о методекатодолюминесценции
      • КЛ установка
      • Катодолюминесценция толстых пленок
      • Методика исследования точечных дефектов
      • Исследование многослойных гетероструктур
    • Метод рентгенодифракционного фазового анализа(РДФА)
    • Метод просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ)
    • Образцы и приборы
  • Результаты и обсуждение
    • 3.1. Результаты РДФА
    • 3.2. Результаты ПЭМ
      • 3.2.1. Результаты ПЭМ до модификации
      • 3.2.2. Модификация в ПЭМ 688 образца – ZnSe/GaAs
      • 3.2.3. Модификация в ПЭМ 713 образца – ZnCdSe/GaAs
    • Результаты КЛ
      • Модификация пленок под воздействием электронного пучка
      • КЛ исследования 688 образца – ZnSe/GaAs
      • КЛ исследования 707 образца – ZnСdSe/GaAs
      • КЛ исследования 713 образца – ZnСdSe/GaAs
      • Обсуждение некоторых результатов модификации КЛ
  • Выводы
  • Благодарности
  • Список литературы

Статистика использования

stat Количество обращений: 588
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика