Детальная информация
| Название | Исследование электрофизических и структурных характеристик эпитаксиальных гетеростурктур AlGaAs/InGaAs/GaAs для создания мощных полупроводниковых лазеров: бакалаврская работа: 22.03.01 |
|---|---|
| Авторы | Ильченко Анастасия Витальевна |
| Научный руководитель | Соловьев Юрий Владимирович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2017 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | полупроводниковая гетероструктура ; полупроводниковые лазеры ; состав гетероструктуры ; эпитаксильный рост |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 22.03.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 220000 - Технологии материалов |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v17-3421 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\43143 |
| Дата создания записи | 03.10.2017 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Работа посвящена исследованию электрофизических и структурных характеристик эпитаксиальных гетеростурктур AlGaAs/InGaAs/GaAs для создания мощных полупроводниковых лазеров. В работе приведен аналитический обзор литературных данных, изучены концентрации и подвижности основных носителей заряда в приконтактных эпитаксиальных слоях методом Холла, проведен качественный и количественный анализ кривых дифракционного отражения, полученных методом рентгеновской дифрактометрии, проведен количественный рентгеноспектральный микроанализ, получены и описаны химические спектры методом рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии в просвечивающем электронном микроскопе.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 84
За последние 30 дней: 0
