| Карточка | Таблица | RUSMARC | |
|
|
Ильченко, Анастасия Витальевна. Исследование электрофизических и структурных характеристик эпитаксиальных гетеростурктур AlGaAs/InGaAs/GaAs для создания мощных полупроводниковых лазеров [Электронный ресурс]: бакалаврская работа: 22.03.01 / А. В. Ильченко; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт металлургии, машиностроения и транспорта ; науч. рук. Ю. В. Соловьев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 2,9 МБ). — Санкт-Петербург, 2017. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v17-3421.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v17-3421>.Дата создания записи: 03.10.2017 Тематика: полупроводниковая гетероструктура; полупроводниковые лазеры; состав гетероструктуры; эпитаксильный рост Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция Ссылки: DOI Разрешенные действия: Прочитать Для чтения документа необходим Flash Player Группа: Анонимные пользователи Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ |
Аннотация
Работа посвящена исследованию электрофизических и структурных характеристик эпитаксиальных гетеростурктур AlGaAs/InGaAs/GaAs для создания мощных полупроводниковых лазеров. В работе приведен аналитический обзор литературных данных, изучены концентрации и подвижности основных носителей заряда в приконтактных эпитаксиальных слоях методом Холла, проведен качественный и количественный анализ кривых дифракционного отражения, полученных методом рентгеновской дифрактометрии, проведен количественный рентгеноспектральный микроанализ, получены и описаны химические спектры методом рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии в просвечивающем электронном микроскопе.
Права на использование объекта хранения
| Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
|||
| Интернет | Все |
|
Статистика использования документа
|
|
Количество обращений: 55
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |