Детальная информация

Ильченко, Анастасия Витальевна. Исследование электрофизических и структурных характеристик эпитаксиальных гетеростурктур AlGaAs/InGaAs/GaAs для создания мощных полупроводниковых лазеров [Электронный ресурс]: бакалаврская работа: 22.03.01 / А. В. Ильченко; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт металлургии, машиностроения и транспорта ; науч. рук. Ю. В. Соловьев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 2,9 МБ). — Санкт-Петербург, 2017. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v17-3421.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v17-3421>.

Дата создания записи: 03.10.2017

Тематика: полупроводниковая гетероструктура; полупроводниковые лазеры; состав гетероструктуры; эпитаксильный рост

Коллекции: Квалификационные работы бакалавров и специалистов; Общая коллекция

Ссылки: http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v17-3421;

Разрешенные действия: Прочитать Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Работа посвящена исследованию электрофизических и структурных характеристик эпитаксиальных гетеростурктур AlGaAs/InGaAs/GaAs для создания мощных полупроводниковых лазеров. В работе приведен аналитический обзор литературных данных, изучены концентрации и подвижности основных носителей заряда в приконтактных эпитаксиальных слоях методом Холла, проведен качественный и количественный анализ кривых дифракционного отражения, полученных методом рентгеновской дифрактометрии, проведен количественный рентгеноспектральный микроанализ, получены и описаны химические спектры методом рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии в просвечивающем электронном микроскопе.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ФБ СПбПУ Все Прочитать
-> Интернет Все Прочитать

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 19
За последние 30 дней: 2
Подробная статистика