Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Проведено исследование процесса травления карбида кремния (SiC) и выявление основных проблем. Разработана методика исследования морфологии и профиля травления сквозных отверстий в подложке SiC в технологии мощных СВЧ транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN/SiC. При исследовании были применены методы рентгенофазового анализа, энергодисперсной рентгеновской спектроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и анализа на атомно силовом микроскопе. Было выявлено, что на поверхности образовывается пассивирующая пленка FxNiy, а также, что процесс травления в среде Ar улучшает морфологию поверхности.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 461
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |