| Карточка | Таблица | RUSMARC | |
|
|
Каракчиев, Сергей Валерьевич. Исследование морфологии и профиля травления сквозных отверстий в подложке карбида кремния в технологии мощных транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN/SiC [Электронный ресурс]: магистерская диссертация: 22.04.01 / С. В. Каракчиев; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт металлургии, машиностроения и транспорта ; науч. рук. Ю. В. Соловьев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 3,40 Мб). — Санкт-Петербург, 2017. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v17-3424.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v17-3424>.Дата создания записи: 12.10.2017 Тематика: Кремний, карбиды; Травление металлов; Полупроводниковые приборы сверхвысокочастотные; транзисторы УДК: 621.794.4(043.3) Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция Ссылки: DOI Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (3,4 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Проведено исследование процесса травления карбида кремния (SiC) и выявление основных проблем. Разработана методика исследования морфологии и профиля травления сквозных отверстий в подложке SiC в технологии мощных СВЧ транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN/SiC. При исследовании были применены методы рентгенофазового анализа, энергодисперсной рентгеновской спектроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и анализа на атомно силовом микроскопе. Было выявлено, что на поверхности образовывается пассивирующая пленка FxNiy, а также, что процесс травления в среде Ar улучшает морфологию поверхности.
Права на использование объекта хранения
| Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Локальная сеть ФБ СПбПУ | Все |
|
||||
|
Интернет | Все |
|
Статистика использования документа
|
|
Количество обращений: 253
За последние 30 дней: 25 Подробная статистика |