Детальная информация

Название: Исследование морфологии и профиля травления сквозных отверстий в подложке карбида кремния в технологии мощных транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN/SiC: магистерская диссертация: 22.04.01
Авторы: Каракчиев Сергей Валерьевич
Научный руководитель: Соловьев Юрий Владимирович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2017
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Кремний, карбиды; Травление металлов; Полупроводниковые приборы сверхвысокочастотные; транзисторы
УДК: 621.794.4(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 22.04.01
Группа специальностей ФГОС: 220000 - Технологии материалов
Ссылки: http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v17-3424

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (3,4 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ

Аннотация

Проведено исследование процесса травления карбида кремния (SiC) и выявление основных проблем. Разработана методика исследования морфологии и профиля травления сквозных отверстий в подложке SiC в технологии мощных СВЧ транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN/SiC. При исследовании были применены методы рентгенофазового анализа, энергодисперсной рентгеновской спектроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и анализа на атомно силовом микроскопе. Было выявлено, что на поверхности образовывается пассивирующая пленка FxNiy, а также, что процесс травления в среде Ar улучшает морфологию поверхности.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
-> Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика