Детальная информация
Название | Исследование морфологии и профиля травления сквозных отверстий в подложке карбида кремния в технологии мощных транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN/SiC: магистерская диссертация: 22.04.01 |
---|---|
Авторы | Каракчиев Сергей Валерьевич |
Научный руководитель | Соловьев Юрий Владимирович |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2017 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Тематика | Кремний, карбиды ; Травление металлов ; Полупроводниковые приборы сверхвысокочастотные ; транзисторы |
УДК | 621.794.4(043.3) |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Магистратура |
Код специальности ФГОС | 22.04.01 |
Группа специальностей ФГОС | 220000 - Технологии материалов |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/v17-3424 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\44511 |
Дата создания записи | 12.10.2017 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Проведено исследование процесса травления карбида кремния (SiC) и выявление основных проблем. Разработана методика исследования морфологии и профиля травления сквозных отверстий в подложке SiC в технологии мощных СВЧ транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN/SiC. При исследовании были применены методы рентгенофазового анализа, энергодисперсной рентгеновской спектроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и анализа на атомно силовом микроскопе. Было выявлено, что на поверхности образовывается пассивирующая пленка FxNiy, а также, что процесс травления в среде Ar улучшает морфологию поверхности.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 463
За последние 30 дней: 1