Детальная информация
Название | Многочастичные эффекты в наноразмерных квантовых точках: бакалаврская работа: 03.03.02 |
---|---|
Авторы | Арбузова Ксения Александровна |
Научный руководитель | Ипатов Андрей Николаевич |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2017 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Тематика | квантовая точка ; наноразмерные квантовые точки ; многочастичные эффекты |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Бакалавриат |
Код специальности ФГОС | 03.03.02 |
Группа специальностей ФГОС | 030000 - Физика и астрономия |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/v17-4190 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\44792 |
Дата создания записи | 16.10.2017 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
В этой работе были изучены свойства основного состояния многоэкситоннго комплекса, локализованного в наноразмерной полупроводниковой квантовой точке (КТ). Расчеты были выполнены с использованием апроксимации огибающей функции для перемещения электронов и дырок в КТ. Квантово-механическая обработка электронно-дырочного перехода была осуществлена в рамках теории функционала плотности. Были проанализированы зависимости энергии основного состояния от радиуса КТ, номер электронно-дырочных пар, диэлектрическая функция КТ и эффективные массы электронов и дырок. Анализ показал, что когда многоэкситонный комплекс сильно локализован в пределах КТ, то его дискретная энергия связи такая же, как и энергия связи изолированного экситона в объемном полупроводнике. При этом физические свойства системы определяются единственным параметром: отношением КТ к радиусам свободного экситона.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 263
За последние 30 дней: 0