Детальная информация

Название: Low Power Voltage Controlled Oscillator in 65 nm CMOS: магистерская диссертация: 11.04.02
Авторы: Mohammed Harbi Adhab
Научный руководитель: Korotkov Alexander S.
Организация: Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2017
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Осцилляторы; 65 nm CMOS Technology; Voltage Controlled Oscillators; PLL; Low Power
УДК: 681.11.032.1(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Английский
Уровень высшего образования: Магистратура
Код специальности ФГОС: 11.04.02
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-4842
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\45851

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

A low power 10 GHz cross-coupled LC NMOS voltage-controlled oscillator VCO for Cognitive Radio, Multi-standard wireless LAN 802.11a/b/gis designed in 65 nm CMOS processes. It consists of across-coupled NMOS and LC tank circuit. To produce a good tuning range and reduce losses in the tank circuit, an on-chip inductors and capacitors are used with a better quality factor.The design of broadband VCOs presents a considerable challenge, since it is extremely difficult to obtain a wide tuning range along with low power consumption. The CMOS technology scaling is further complicating the design of wideband VCOs The 10 GHz LC VCO achieves a phase noise value of -106.9 dBc/Hz at 1 MHz offset and a tuning range of 9.5 to 10.5 GHz. It dissipates 3.5 mW power at 1 V supply voltage and the figure of merit is calculated as -181.5 dBc/Hz.Other measurements for the phase noise are - 31.5 dBc/Hz, - 60.4 dBc/Hz, - 85.7 dBc/Hz, 116.6 dBc/Hz and -127.1 dBc/Hz at 1kHz, 10 kHz, 100kHz, 3MHz and 10 MHz offset respectively. Frequency drift over temperature variations is a crucial design consideration for VCO circuits in 3G/LTE cellular systems because on-chip inductor resistances and capacitances are highly sensitive to temperature fluctuations, so the temperature variations effect is investigated in the temperature range (-40o C to +85o C) and it was found as 1.1 %, 21.6 %, and 3.6 % for output frequency, output voltage and NMOS transistor current respectively.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 82
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика